长鑫科技于2023年第三季度发布的财务报告后，在随后的业绩交流会上，披露了在4F²垂直沟道DRAM架构中取得的重要突破。该公司指出，其第六代工艺技术平台已经完成了工程样片的验证。根据行业实践，工程样片的验证完成标志着该平台在真实晶圆上实现了核心性能指标的预期达成。在客户完成相关验证后，该技术平台预计将进入规模化生产阶段。

首先，值得注意的是，长鑫科技此前曾在多个学术论坛上对4F²架构进行了介绍。相较于当前主流的6F²架构，4F²方案在相同面积下具备更高的晶体管集成能力，这可能有助于缓解DRAM先进工艺微缩过程中遇到的技术瓶颈。然而，该技术路线公布后，引发了存储行业的广泛讨论和争议。美光科技总裁斯科特·德波尔近期表明，该公司将继续沿6F²路径前进，并专注于开发3D DRAM，而不采用4F²架构，其主要理由在于前者在复杂度和成本控制上具有优势。德波尔指出，美光在过去20年内研究了4F²技术，并认为该方向未能提供可行的微缩路径和实际收益。根据其观点，决定DRAM位密度的理论上限主要受电容间距和电容尺寸等参数的影响，因此技术优化应集中于电容间距优化。

其次，针对美光及其他国际厂商的此类观点，长鑫科技在交流会上进行了回应。公司认为，从物理规律的角度看，DRAM位密度的提升确实是一个复杂的系统工程，涉及多个因素的相互作用，包括字线、位线和电容结构。长鑫科技指出，行业在先进制程微缩阶段面临的物理挑战是普遍存在的。在特定技术节点，不同架构在工艺集成复杂度、光刻次数及热预算等方面呈现出不同的成本效益曲线。这表明，各存储厂商基于自身技术积累、现有生产线配置、专利布局及资本开支结构，所作出的战略选择具有差异性，值得理解和尊重。 ut88

最后，关于4F²新技术所带来的潜在效益，长鑫科技强调，前瞻性的技术及新产品并不会在短期内立即转化为利润，更多地反映在构建长远的竞争力上。综上所述，尽管存储行业在前沿技术的发展中面临挑战，各企业应根据自身优势制定相应的战略，以探索并实现长期的技术创新与市场竞争力。